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Samsung Electronics聽ha anunciado hoy que ha comenzado a producir en masa el primer chip de almacenamiento eUFS 2.1 de 1 Terabyte de la industria, que ser谩 utilizado en la pr贸xima generaci贸n de dispositivos m贸viles.
Apenas cuatro a帽os despu茅s de introducir la primera soluci贸n UFS de almacenamiento para smartphones, el eUFS de 128 GB, Samsung ha superado el umbral del Terabyte.
Gracias a este chip, los usuarios de smartphones podr谩n disfrutar de una capacidad de almacenamiento comparable a la de un PC sin tener que utilizar tarjetas de memoria adicionales. A modo de referencia, 1 TB de almacenamiento equivale a unos 260 v铆deos de 10 minutos en formato 4K UHD.聽
La nueva soluci贸n eUFS de 1 TB mantiene el mismo tama帽o de encapsulado (11,5 x 13,0 mm) y duplica la capacidad de la versi贸n anterior de 512 GB mediante la combinaci贸n de 16 capas apiladas de memoria flash V-NAND de 512 GB y un controlador propio de nuevo desarrollo.
El nuevo chip tambi茅n posee una velocidad excepcional de lectura secuencial hasta 1.000 MB/s, el doble de la velocidad de lectura secuencial de una unidad SSD SATA t铆pica de 2,5 pulgada y alrededor de 10 veces la velocidad de una tarjeta microSD t铆pica.
Adem谩s, la velocidad de lectura aleatoria ha aumentado hasta un 38 por ciento en comparaci贸n con la versi贸n de 512 GB, registrando hasta 58.000 IOPS. La escritura aleatoria es 500 veces m谩s r谩pida que una tarjeta microSD de alto rendimiento (100 IOPS), llegando hasta 50.000 IOPS.
Aunque Samsung no ha confirmado cu谩ndo llegar谩n los primeros smartphones con este chip, cabe esperar que alguna de las versiones del Samsung Galaxy S10 estrenen este almacenamiento.