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Samsung anuncia la primera memoria DRAM LPDDR5 de 8Gb para dispositivos móviles

Samsung Electronics ha anunciado la primera memoria DRAM LPDDR5 de 10 nm de 8-gigabit (Gb).

La compañía comenzó la fabricación en serie de la primera memoria LPDDR4 de 8Gb en 2014, y desde entonces, ha estado preparando la transición al estándar LPDDR5 para su uso en dispositivos móviles.

Samsung afirma que la memoria 8Gb LPDDR5 tiene una velocidad de datos de hasta 6.400Mb/s, que es 1,5 veces más rápido que los chips DRAM móviles utilizados en los actuales smartphones estrella.

Los dispositivos móviles actuales más potentes utilizan RAM LPDDR4X con una velocidad de transmisión de datos de 4.266Mb/s. La nueva velocidad de transmisión de datos permite a la memoria LPDDR5 transferir 51 GB de datos, es decir, aproximadamente 14 archivos de vídeo Full HD (3,7 GB cada uno) en un segundo. 

En términos de ahorro de energía, la memoria LPDDR5 ha sido diseñada para reducir su voltaje de acuerdo con la velocidad de operación del procesador para maximizar el ahorro de energía. Además, el nuevo chip ofrecerá un modo de reposo profundo.

Las características de bajo consumo permiten que la memoria RAM LPDDR5 ofrezca reducciones del consumo de energía de hasta un 30 por ciento, lo que tendrá un impacto en la autonomía del smartphone.

Samsung afirma que ha completado las pruebas funcionales y la validación de un prototipo de 8GB LPDDR5 DRAM, compuesto por ocho chips 8Gb LPDDR5. La compañía comenzará la producción en masa de sus líneas de DRAM de próxima generación (LPDDR5, DDR5 y GDDR6) en su planta de Pyeongtaek, Corea.

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