¡SORTEOS! Sorteamos un impresionante Moto G5s Plus, una PlayStation 4 y más [ Ver sorteos ]

¿Son necesarios 512GB en un smartphone? El Samsung Galaxy S9 podría llegar con esta capacidad

Samsung Electronics ha anunciado el comienzo de la producción en serie de la primera solución de almacenamiento flash universal (eUFS) integrado de 512 GB para su uso en dispositivos móviles de próxima generación

Utilizando los últimos chips V-NAND de Samsung de 64 capas y 512 GB, el nuevo chip eUFS de 512 GB proporciona una capacidad de almacenamiento sin precedente y un rendimiento excepcional para los próximos smartphones y tabletas estrella.

“El nuevo Samsung eUFS 512GB proporciona la mejor solución de almacenamiento integrado para smartphones premium de última generación, superando las limitaciones potenciales en el rendimiento del sistema que pueden ocurrir con el uso de tarjetas micro SD”, explica Jaesoo Han, vicepresidente ejecutivo de ventas y marketing de memoria de Samsung Electronics.

Compuesto por ocho chips V-NAND de 64 capas de 512GB y un chip controlador, el nuevo UFS de 512GB de Samsung duplica la densidad de los anteriores 256GB eUFS basados en V-NAND de 48 capas de Samsung, en la misma cantidad de espacio.

La mayor capacidad de almacenamiento del eUFS permite, por ejemplo, almacenar aproximadamente 130 clips de vídeo 4K Ultra HD (3840×2160) de una duración de 10 minutos.

Para maximizar el rendimiento y la eficiencia energética del nuevo eUFS de 512 GB, Samsung ha introducido un conjunto de tecnologías patentadas. El diseño de circuito de V-NAND de 64 capas y la nueva tecnología de gestión de potencia del controlador eUFS de 512GB minimizan el inevitable aumento en el consumo de energía, lo que es particularmente notable ya que la nueva solución eUFS de 512GB contiene el doble de células en comparación con un eUFS de 256GB. Además, el chip controlador de 512GB eUFS’ acelera el proceso de mapeo para convertir las direcciones de bloques lógicos a las de bloques físicos.

El Samsung 512GB eUFS también cuenta con un alto rendimiento de lectura y escritura. Con una lectura y una escritura secuencial que alcanza hasta 860 megabytes por segundo (MB/s) y 255MB/s respectivamente, la memoria integrada de 512GB permite transferir un clip de vídeo Full HD equivalente a 5GB a una unidad SSD en unos seis segundos, ocho veces más rápido que una tarjeta microSD típica.

Para las operaciones aleatorias, el nuevo eUFS puede leer 42.000 IOPS y escribir 40.000 IOPS. Las rápidas escrituras aleatorias del eUFS son aproximadamente 400 veces más rápidas que la velocidad de 100 IOPS de una tarjeta microSD convencional, lo que permite a los usuarios móviles disfrutar de experiencias multimedia como disparos en ráfaga de alta resolución, búsqueda de archivos y más.

Aunque Samsung no lo ha nombrado expresamente, todo parece indicar que el Samsung Galaxy S9 será el primero en estrenar esta capacidad de almacenamiento, por lo que veremos una variante con 512GB del próximo teléfono estrella de la compañía.