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El Samsung Galaxy S10 llegará con memoria RAM LPDDR5 y almacenamiento UFS 3.0 según una fuente china

Samsung equipará el Galaxy S10 y al Galaxy S10+ con memoria RAM LPDDR5 y almacenamiento UFS 3.0, según ha sugerido hoy Ice Universe, una fuente conocedora de la industria china.

Samsung lleva trabajando en memorias LPDDR5 desde hace más de un año, habiendo intensificado sus esfuerzos en este campo el pasado mes de diciembre. Si nos fijamos en los avances de Samsung con las memorias DDR5 para PCs, el aumento de rendimiento puede ser de un 10 por ciento, y la mejora en eficiencia puede rondar el 15 por ciento.

El salto de LPDDR3 a LPDDR4 casi duplicó las velocidades de la RAM y, aunque no se espera que la próxima generación repita este logro, debería soportar tasas de 3.600 Mbps frente a los 3.200 Mbps de la generación actual.

En cuanto al almacenamiento flash, Samsung ya lanzó estándar UFS 3.0 en febrero, iniciando la producción de chips de memoria de 256 GB para vehículos, pero aún no ha adoptado esta tecnología en otras categorías de productos.

Los rumores también apuntan a que el Galaxy S10 y el Galaxy S10+ debutarán con un sensor de huellas dactilares en pantalla, así como con una cámara 3D similar a la que Apple implementó en el iPhone X.

Sin embargo, según se informa, Samsung ha encontrado la forma de comercializar dicha solución evitando la muesca en la pantalla. Es probable que los dos smartphones se anuncien a principios de 2019, cuando el MWC 2019 se celebre en Barcelona.

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