Samsung tiene problemas con la transición a chips de 3 nm

Samsung Foundry es la segunda fundición más grande del mundo, después del gigante TSMC. Además de fabricar los chips Exynos que diseña ella misma, Samsung fabrica chips basados en diseños de terceros, como Qualcomm.

En febrero, circularon informes de que el rendimiento de Samsung en su nodo de proceso de 4nm era solo del 35%. Esto significa que sólo el 35% de los chips cortados de una oblea pasan el control de calidad, en comparación con el 70% logrado por TSMC en su producción del Snapdragon 8 Gen 1.

Según Businesspost.kr, Samsung podría estar enfrentándose a problemas en su nuevo proceso de fabricación de 3 nm que podrían afectar a su capacidad de producir chips en masa. El rendimiento de la producción de chips de 3nm de Samsung habría descendido a un rango del 10-20%.

Este bajo rendimiento podría afectar a la producción de chips en el futuro. Se cree que las primeras series de chips de 3nm de Samsung se utilizarán para sus propios chips Exynos, probablemente el sucesor del Exynos 2200.

Además de pasar de los 4nm a los 3nm, Samsung también es la primera en utilizar GAAFET (Gate all around FET), en lugar del diseño FINFET (Fin FET). GAAFET es un nuevo diseño de transistor necesario para bajar por debajo del umbral de los 3nm, ya que FINFET tiene limitaciones físicas que lo hacen inadecuado.

Es muy posible que el paso a GAAFET haya contribuido a los problemas de Samsung, ya que el nuevo diseño requiere un enfoque diferente. Intel intentó utilizar GAAFET con sus procesadores de 7nm antes de posponer el cambio debido a problemas similares a los que, al parecer, se enfrenta Samsung.

Curiosamente, TSMC ha decidido no adoptar GAAFET para sus semiconductores de 3nm, esperando a pasar a 2nm para implementar el nuevo diseño de transistores.

TSMC y Samsung pronto tendrán un nuevo contrincante, ya que Intel ha dicho que tiene el objetivo de hacerse con el liderazgo de procesos en la industria para finales de 2024.